Trafił do mnie z zaprzyjaźnionego warsztatu, do potwierdzenia wewnętrznego uszkodzenia procesora radiowego (które rzekomo powstało wskutek zwarcia przy zalaniu). iPhone XR z uszkodzeniem no service – nie do końca chciałbym się z tym zgodzić.
iPhone XR, z uszkodzeniem zwanym potocznie „no service”, z powodu problemów z dostępem do układu radiowego – komórkowego.
Ten przypadek, telefon po upadku, z rozbitym „lekko” tyłem, miesiącach używania w wannie, podczas kąpieli (właścicielka) w końcu wyłączył się. Po standardowej naprawie i czyszczeniu „po zalaniu” ( za 99zł? ) telefon uruchamia się, udało się nawet odzyskać face.ID. Niestety, nie dzwoni.
Jeszcze tylko formalnie – przed rozpoczęciem pracy przeczytaj o zasadach bezpieczeństwa przy pracy z prącem i urządzeniami elektronicznymi o wymaganych narzędziach, to już wiesz wszystko a o XR: u źródła
Lutowanie insulatorów – metal shield cover
Z jakiegoś powodu, nikt nie zwraca uwagi na fakt, że insulatory lutowane są kilkoma, różnymi stopami. Procesorowy jest najsłabszy, ten radiowy – najtrudniejszy do zdjęcia. Więc siedzi taki jeden, znęca się termicznie nad płytą… pierwsza schodzi łatwo, druga… trzeba pociągnąć, trzecia… i grzeje, nic. Podkręca… grzeje, nic. W końcu puszcza przy ponad 400oC ! Przy okazji zalewając wszystko, co znajduje się obok lub po drugiej stronie. To prawdziwa przyczyna dzisiejszej rozmowy.
Doświadczenie zawodowe podpowiada rozwiązania. Jest ich kilka, zależnie kto, co i jak. Można wycinać (dobra metoda), nowe kosztują ok 20+8 zł u chińczyka. Można termicznie, też dobrze. W każdym przypadku czekają pułapki. To, że to tylko „blacha” nie zwalnia od myślenia. Otrzymałem więc płytę, z rozlutowaną osłoną i śladami przegrzania. W obrazowaniu termicznym, zwarcie pod BB-CPU. Wniosek rozsądny ale błędny.
W obrazie podczerwieni, świeci najjaśniej najmniejszy przekrój,
o porównywalnym potencjale i przepływie w badanym środowisku
Elektronikę można rozumieć przez analogię do przepływu wody – przepływ wody jest najszybszy tam (zasada Venturiego, równanie Bornoulliego + zasada zachowania energii ) , gdzie jest najwęziej, gdzie różnica potencjałów (poziomów) pomiędzy początkiem i końcem jest największa.
Krótko tłumacząc, tyle musi wyjść ile weszło – (minus) strata przeznaczona na pokonanie drogi. Biorąc pod uwagę to, że część „wyjść” z układu zostało rozerwanych lub połączonych z innymi liniami, poszczególne zespoły bramek tranzystorów „płoną” z powodu nie wartości prądu a prędkości jego przepływu. Ostatecznie, wszystko zależy od przewodnika. Czy to może doprowadzić do zniszczenia układu? Raczej nie. Dopóki potencjał elektryczny będzie mieścił się granicach, nic złego się nie stanie (tu, nigdzie w okolicy nie ma więcej niż 3.8V). Nic złego, prócz ogólnego zwieszenia systemu. W tym przypadku telefon pozwolił się uruchomić, nie pobrał tylko danych z procesora, bo ten działał w jakiś niezrozumiały sposób. Został więc przez oprogramowanie pominięty a to (jako restrykcja) powodowało wyświetlenie się komunikatu „nie można aktywować”.
iPhone XR – ślady zalania 
iPhone XR – brak imei 
iPhone XR – obrazowanie podczerwieni
Jeśli tu mamy jasność, zastanówmy się jak to naprawić. Właściwie nie ma na co czekać. Zakładam, że jeśli zwiera w układzie scalonym, to wyjścia w tej okolicy będą miały mocno zaniżoną rezystancję (z powodu zwarcia). PP_0V8_SMPS2_BB_DIG – 0.070 i PP_0V9_MSPS1_BB_SRAM – 0.125 i nie ma sensu szukać zwartych kondensatorów w liniach. Tylko „rebolowanie” całego układu przywróci jego działanie.
iPhone XR – schemat 
iPhone XR – schemat 
iPhone XR – po naprawie 
iPhone XR – lokalizacja debuggera
EPILOG
Telefon rzeczywiście wyłączył się z powodu pojawienia się ognisk korozji w liniach zasilania – to udało się rozpoznać koledze i poprawnie naprawić. Niestety radio zostało uszkodzone podczas zdejmowania osłon. Moja rada na przyszłość – nie trzeba zdejmować insulatorów, by dowiedzieć się czy umieszczone pod nimi elementy działają właściwie. Można to zrobić poprzez sieć punktów testowych ( TP ) oraz szyny kontrolnej ( debugger’a ) zaznaczonej na ostatnim zdjęciu, powyżej.
pozdrawiam, bert.harmidomski
