iPhone X, ekran pozostaje czarny, brak reakcji na guzik (przynajmniej pozornie). Podłączenie serwisowe ujawnia zwarcie 0.750A po naciśnięciu guzika. Obie linie pierwotne, VDD_Main oraz BAT_VDD posiadają prawidłowe rezystancje, bez objawów zwarcia.
Przez analogię do wszystkich, wcześniejszych modeli, można z góry założyć: iPhone X – zwarcie w zasilaniu NAND
W iPhone 6, zwarcie w systemie NAND objawiało się wartością 0.450A. W iPhone 7 – 0.700A a iPhone 8 – 0.750A. Kontrola układu NAND nie jest trudna. Analiza schematu ideowego podpowiada który scenariusz modelu zasilania został wykorzystany a schematu blokowego, rozłożenie elementów w całej linii. Niestety, jeśli zasilanie to linia multidyscyplinarna (PP3V0_NAND jest linią dedykowaną, PP1V8_IO – multidyscyplinarną, zasilającą więcej niż jeden podukład logiczny) elementy rozsiane są zazwyczaj po całej płycie. Każdy będzie podejrzany. Po sprawdzeniu tego egzemplarza X’a, zwarcie zostało zlokalizowane w linii PP1V8_IO.
iPhone X – zasilanie NAND, schemat ideowy 
iPhone X – lokalizacja elementów w linii PP1V8_IO
Znalezienie konkretnego elementu, wywołującego zwarcie linii do masy, to już zupełnie inna historia. Ta jednak (zupełnie inna historia), to jednak dość łatwe zadanie (w większości przypadków). Metod, jak pisałem wcześniej jest naprawdę wiele i bardziej zależą od pomysłowości i praktyki technika niż z góry narzuconych zasad. W moim przypadku, użyłem metody matematycznej, a uszkodzony okazał się kondensator podtrzymujący, oznaczony c2647.
Przestrzegam przed lutowaniem krańcowych kondensatorów bez rozlutowania kanapki, w mało wprawnych rękach. Zazwyczaj prowadzi to do mocnych przegrzań i uszkodzeń interposera. Rekomenduję poświęcić więcej czasu na kanapkę ale w zamian cieszyć się z naprawionego telefonu (w innym przypadku, wcześniej czy później trafi to do mnie – do naprawy uszkodzenia wywołanego naprawą… ).
